ذاكرة DDR4 بتقنية 3onm

أعلنت سامسونج عن تطوير أول ذاكرة RAM من فئة  هي الأولى من نوعها بتقنية nm 30: حيث تقدم أداء أعلى مرتين من الفئة السابقة DDR3. مع التقليل من استهلاك الطاقة بنسبة 40% عند استخدامها في الكميوتر المحمول. وأيضاً تقليل التيار الكهربي عند قراءة وكتابة البيانات من خلا دعمها لتقنية Pseudo Open Drain (POD) الملائمة للأداء العالي. نسطيع الذاكرة الجديدةDDR4 DRAM  نقل البيانات بسرعات عالية تتراوح بين Gb/s 1.6 إلى Gb/s 3.2 بمقدار من الطاقة بيلغ Volts 1.2 ، مقارنة بـ V 1.5,5, 1.35V مع الفئات السابقة DDR3 ذات السرعة Gb/s 1.6 والفئة DDR2 ذات السرعة Mb/s 800.